當(dāng)?shù)貢r間周四，美國芯片巨頭英特爾宣布，已開始組裝阿斯麥（ASML）的高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻機，這是其超越競爭對手的重要一步。

英特爾是首家購買阿斯麥新一代光刻機的公司，這臺機器的售價高達3.5億歐元（約合3.73億美元）。盡管存在一定的財務(wù)和工程風(fēng)險，但該設(shè)備預(yù)計將能夠生產(chǎn)體積更小、處理速度更快的新一代芯片。

在與記者的交流中，英特爾光刻主管馬克·菲利普斯（Mark Phillips）表達了對其決策的堅定信心：“我們在決定購買這些設(shè)備時就已經(jīng)認可了它們的價格。如果我們不認為這些設(shè)備物有所值，我們根本不會采購。”

阿斯麥?zhǔn)菤W洲最大的科技公司，在光刻機市場占據(jù)主導(dǎo)地位。光刻機是一種利用光束幫助制造芯片電路的設(shè)備。

光刻技術(shù)是芯片制造商用以提升芯片性能的核心技術(shù)之一，它決定了芯片上晶體管的最小寬度——晶體管寬度越小，芯片的處理速度通常越快，能效也越高。

新一代高數(shù)值孔徑（High NA）光刻工具預(yù)計能大幅減小晶體管的寬度，達到原來的三分之一。然而，芯片制造商必須在這種顯著的成本提升和技術(shù)優(yōu)勢之間進行權(quán)衡，并考慮現(xiàn)有技術(shù)的可靠性是否已足夠滿足需求。

英特爾的錯誤

英特爾決心率先采用高數(shù)值孔徑極紫外光刻機并非偶然。

英特爾雖曾參與開發(fā)極紫外光刻技術(shù)，但在開始使用阿斯麥?zhǔn)卓顦O紫外光刻機上卻晚于其競爭對手臺積電。英特爾首席執(zhí)行官帕特·蓋爾辛格（Pat Gelsinger）承認，這是一個嚴重的失誤。

與此同時，英特爾專注于所謂的“多重曝光”技術(shù)的開發(fā)，其本質(zhì)是使用分辨率較低的光刻機對晶圓進行多次光刻，以達到與高端機器相同的效果。

菲利普斯表示：“那就是我們開始遇到麻煩的時候。”

盡管傳統(tǒng)的DUV光刻機成本較低，但復(fù)雜的“多重曝光”操作耗時且降低了芯片的良品率，這減緩了英特爾的業(yè)務(wù)發(fā)展。

英特爾目前已經(jīng)在制造最關(guān)鍵的芯片部件時使用了第一代極紫外光刻機，菲利普斯預(yù)計，轉(zhuǎn)用高數(shù)值孔徑極紫外光刻機將會更加順利。

他說：“現(xiàn)在我們已經(jīng)有了期待已久的新一代極紫外光刻機，我們不想再犯過去的錯誤。”

菲利普斯還表示，位于俄勒岡州希爾斯伯勒園區(qū)的這臺新機器預(yù)計將在今年晚些時候全面投入使用。

英特爾計劃在2025年使用這臺巨大的機器開發(fā)14A代芯片，并預(yù)計在2026年開始初步生產(chǎn)，到2027年實現(xiàn)全面商業(yè)化生產(chǎn)。

阿斯麥在本周公布的最新財報中表示，已開始向一位客戶發(fā)運第二套高數(shù)值孔徑極紫外光刻機。這位客戶可能是臺積電或三星。

由于這些大型設(shè)備的運輸和安裝可能需要長達六個月的時間，因此英特爾此舉已經(jīng)占據(jù)了先機。