商盛軟件園 5 月 10 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 報道，三星電子內(nèi)部已對其 HBM 內(nèi)存開發(fā)部門進行“雙軌化”改造，以增強其在 HBM 業(yè)務上的競爭力。

具體而言，由現(xiàn)有 DRAM 設計團隊負責 HBM3E 內(nèi)存的后續(xù)研發(fā)工作，而三月成立的 HBM 產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊則專注開發(fā)下一代 HBM 內(nèi)存 ——HBM4。

新設立的 HBM 專門開發(fā)團隊由三星電子 DRAM 開發(fā)副總裁 Hwang Sang-joon 負責，直接向存儲器業(yè)務部總裁李禎培匯報工作，同時三星近期已將部分人力轉移至該團隊。

作為 AI 算力芯片的優(yōu)秀輔助，HBM 內(nèi)存早已成為業(yè)界前沿熱點。而下一代 HBM4 內(nèi)存將在多個維度引入較大變化，在帶來更多可能性的同時研發(fā)難度也隨之提升：

一方面，HBM4 內(nèi)存在堆疊上將普及 12 層，首發(fā) 16 層，也帶來了更大的晶圓翹曲風險；

另一方面，HBM4 內(nèi)存的基礎裸片（Base Die）將走向定制化，產(chǎn)品具體特性要跟隨用戶需求調(diào)整。

此外，根據(jù)商盛軟件園近日報道，SK 海力士已將其 HBM4 內(nèi)存的 12 層堆疊版本的量產(chǎn)時間前移至 2025 年下半年，三星電子目前仍維持 2026 年的預設目標。

三星此番組建 HBM4 獨立團隊，意在化解內(nèi)存開發(fā)難題，縮短開發(fā)周期，從而在 HBM4 節(jié)點重振 HBM 內(nèi)存競爭力，從 SK 海力士手中奪回市場優(yōu)勢。